Запись в 19.10.2016

12 декабря 2014 г. в Москве состоится второе заседание Межправительственной Российско

asvfedf 0 - комментарии
Типография >> Без рубрики >> 12 декабря 2014 г. в Москве состоится второе заседание Межправительственной Российско

Пленарное заседание МПК проведут глава Минприроды России Сергей Донской и Министр минеральных ресурсов Республики Судан Ахмед Карури, являющиеся ее сопредседателями. В ходе встречи стороны обсудят ход сотрудничества двух стран в области торгово-экономических связей, взаимодействие в области геологии и недропользования, образования, здравоохранения и промышленности. По итогам заседания запланировано подписание итогового протокола и подход к прессе. Мероприятие пройдет в зале «Есенин» гостиницы «Золотое кольцо» с 10:00 до 12:30 по адресу: Москва, ул.Смоленская, д.5. По вопросам аккредитации обращаться по телефонам 8(499)254-16-00, 8(499)254-49-56 или по e-mail: pr@mnr.gov.ru, ave@mnr.gov.ru.Пленарное заседание МПК проведут глава Минприроды России Сергей Донской и Министр минеральных ресурсов Республики Судан Ахмед Карури, являющиеся ее сопредседателями. В ходе встречи стороны обсудят ход сотрудничества двух стран в области торгово-экономических связей, взаимодействие в области геологии и недропользования, образования, здравоохранения и промышленности. По итогам заседания запланировано подписание итогового протокола и подход к прессе. Мероприятие пройдет в зале «Есенин» гостиницы «Золотое кольцо» с 10:00 до 12:30 по адресу: Москва, ул.Смоленская, д.5. По вопросам аккредитации обращаться по телефонам 8(499)254-16-00, 8(499)254-49-56 или по e-mail: pr@mnr.gov.ru, ave@mnr.gov.ru.

Связанная запись

"Теплосбережение" для саженцев

В основе проекта лежит уникальная разработка томских ученых из Института химии нефти СО РАН –…

Полиграфия и послепечатная подготовка

Полиграфия - одна из самых динамично развивающихся и интересных областей человеческой деятельности. Дизайнер, работая над…

Глубокая печать

В печатной технологии глубокой печати, печатные элементы на формном материале, в отличие от технологии высокой…